 | VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 場效應(yīng)管 MOSFET N/P SO-8 |
模塊配置:NP
晶體管極性:NP
漏極電流, Id 最大值:6.6A
電壓, Vds 最大:40V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.04ohm
電壓 @ Rds測量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.2V
功耗:3.1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SO
封裝類型:SO-8
晶體管類型:MOSFET
結(jié)溫, Tj 最低:150°C
表面安裝器件:表面安裝
功耗, N溝道 1:1.1W
功耗, P溝道 1:1.1W
最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1:0.6V
最低閾值電壓, Vgs th P溝道:0.8V
最高閾值電壓, Vgs th P溝道:2.2V
漏極連續(xù)電流, Id N溝道:5.2A
漏極連續(xù)電流, Id P溝道:4.5A
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:40V
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.04ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.054ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.045ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.072ohm
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