 | NXP - BLF242 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET RF SOT-123 |
晶體管類型: HF-VHF功率 MOS
電壓, Vds 最大:65V
電流, Id 連續(xù):1A
最大功耗:16W
噪聲:5.5dB
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-123
截止頻率 ft, 典型值:175MHz
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N溝道
表面安裝器件:螺絲安裝
功率, Pd:5W
器件標(biāo)號(hào):1
封裝類型:SOT-123
應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):3.3ohm
效率:50%
最小功率增益 Gp:13dB
漏極電流, Id 最大值:1A
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:1V
電壓, Vds 典型值:28V
電容值, Ciss 典型值:13pF
電流, Idm 脈沖:1A
電流, Idss 最大:0.01mA
負(fù)載功率:16W
通態(tài)電阻, Rds on 最大:5ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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