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圖片 型號 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價格
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TOSHIBA - 2SK2611(F) - 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-3P   晶體管極性:N 漏極電流, Id 最大值:9A 電壓, Vds 最大:900V 開態(tài)電阻, Rds(on):1.4ohm 電壓 @ Rds測量:10V 電壓, Vgs 最高:30V 功耗:150W 封裝類型:TO-3P 針腳數(shù):3 功率, Pd:150W 封裝類型:TO-3P 引腳節(jié)距:5.45mm 晶體管數(shù):1 晶體管類型:MOSFET 溫度 @ 電流測量:25°C 滿功率溫度:25°C 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V 電壓, Vds 典型值:900V 電流, Id 連續(xù):9A 電流, Idm 脈沖:27A 表面安裝器件:通孔安裝 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V 上海 0 新加坡28 英國291 1 1 刪除