| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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EG & G VACTEC - VTT1115H - 光電三極管 |
光電三極管
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)124
新加坡 0
英國(guó) 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT9103H - 光電晶體管 |
光電晶體管
NPN
0.100W
TO-106
30V
50mA
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)535
新加坡 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT9102H - 光電晶體管 |
光電晶體管
NPN
0.100W
TO-106
30V
50mA
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)87
新加坡 0 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT7122H - 光電晶體管 |
光電晶體管
0.05W
Case 7
30V
25mA
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无库存 |
1 |
1 |
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EG & G VACTEC - VTT3323LAH - 光電晶體管 |
光電晶體管
NPN
0.05W
T-1
30V
25mA
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)641
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SHARP - PT100MF0MP1 - 光電晶體管 SMD |
波長(zhǎng), 典型值:910nm
功耗:75mW
視角:30°
針腳數(shù):2
上升時(shí)間:5μs
半角:15°
封裝類型:SMD Compact Thin
工作溫度最低:-30°C
工作溫度最高:85°C
工作溫度范圍:-30°C to +85°C
晶體管類型:Phototransistor
標(biāo)稱靈敏度 @ mW/cm2:2mA@1mW/cm2
波長(zhǎng), 頻譜響應(yīng)峰值:910nm
電流, Ic 典型值:2mA
表面安裝器件:表面安裝
下降時(shí)間:6μs
功耗:75mW
存儲(chǔ)溫度, 最低:-40°C
存儲(chǔ)溫度, 最高:95°C
暗電流:100nA
波長(zhǎng)峰值:910nm
電流, Ic 最大:3.45mA
飽和電壓, Vce sat 最大:0.4V
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无库存 |
1 |
1 |
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SHARP - PT480E00000F - 光電晶體管 側(cè)部發(fā)光 |
波長(zhǎng), 典型值:800nm
功耗:75mW
視角:26°
針腳數(shù):2
上升時(shí)間:3μs
半角:13°
外寬:3.0mm
外部深度:2.8mm
外部長(zhǎng)度/高度:4.0mm
封裝類型:Radial
工作溫度最低:-25°C
工作溫度最高:85°C
工作溫度范圍:-25°C to +85°C
晶體管類型:Phototransistor
標(biāo)稱靈敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
波長(zhǎng), 頻譜響應(yīng)峰值:800nm
電流, Ic 典型值:1.7mA
下降時(shí)間:3.5μs
功耗:75mW
反向保護(hù)電壓:6V
存儲(chǔ)溫度, 最低:-40°C
存儲(chǔ)溫度, 最高:85°C
引線直徑:0.4mm
引線長(zhǎng)度:17.5mm
引腳節(jié)距:2.54mm
暗電流:100nA
波長(zhǎng)峰值:800nm
電流, Ic 最大:6mA
飽和電壓, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)1916 |
1 |
1 |
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SHARP - PT4800E0000F - 光電三極管 |
波長(zhǎng), 典型值:800nm
功耗:75mW
視角:70°
針腳數(shù):2
上升時(shí)間:3μs
半角:35°
外寬:3mm
外部深度:1.5mm
外部長(zhǎng)度/高度:3.5mm
封裝類型:Radial
工作溫度范圍:-25°C to +85°C
晶體管類型:Phototransistor
電流, Ic 典型值:400mA
表面安裝器件:徑向引線
下降時(shí)間:3.5μs
功耗:75mW
存儲(chǔ)溫度, 最低:-40°C
存儲(chǔ)溫度, 最高:+85°C
引線長(zhǎng)度:17.5mm
引腳節(jié)距:2.54mm
暗電流:100nA
波長(zhǎng)峰值:800nm
電流, Ic 最大:20A
飽和電壓, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)1796 |
1 |
1 |
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SHARP - PT480FE0000F - 光電晶體管 |
波長(zhǎng), 典型值:860nm
功耗:75mW
視角:26°
針腳數(shù):2
上升時(shí)間:3μs
半角:13°
外寬:3mm
外部深度:2.8mm
外部長(zhǎng)度/高度:4.0mm
封裝類型:Radial
工作溫度最低:-25°C
工作溫度最高:+85°C
工作溫度范圍:-25°C to +85°C
晶體管類型:Phototransistor
標(biāo)稱靈敏度 @ mW/cm2:0.8mA@1mW/cm2
電流, Ic 典型值:0.8mA
表面安裝器件:徑向引線
下降時(shí)間:3.5μs
功耗:75mW
反向保護(hù)電壓:6V
存儲(chǔ)溫度, 最低:-40°C
存儲(chǔ)溫度, 最高:+85°C
引線直徑:0.4mm
引線長(zhǎng)度:17.5mm
引腳節(jié)距:2.54mm
暗電流:100nA
波長(zhǎng)峰值:860nm
電流, Ic 最大:3mA
飽和電壓, Vce sat 最大:0.4V
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上海 0
新加坡30
英國(guó)4981 |
1 |
1 |
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SHARP - PT100MC0MP - 光電晶體管 SMD |
波長(zhǎng), 典型值:900nm
功耗:75mW
視角:30°
針腳數(shù):2
上升時(shí)間:5μs
半角:15°
封裝類型:SMD Compact Thin
工作溫度最低:-30°C
工作溫度最高:85°C
工作溫度范圍:-30°C to +85°C
晶體管類型:Phototransistor
標(biāo)稱靈敏度 @ mW/cm2:2.9ma@1mW/cm2
電流, Ic 典型值:2.9mA
表面安裝器件:表面安裝
下降時(shí)間:6μs
功耗:75mW
存儲(chǔ)溫度, 最低:-40°C
存儲(chǔ)溫度, 最高:95°C
暗電流:100nA
波長(zhǎng)峰值:900nm
電流, Ic 最大:5.1mA
飽和電壓, Vce sat 最大:0.4V
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无库存 |
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