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最低靈敏度 @ mW/cm2

• 0.5@1
• 1.5@1
• 12.0@5
• 2.0@1
• [email protected]
• [email protected]
• 3.4@1
• 7.0@1
• 3.0@1

最高靈敏度 @ mW/cm2

• [email protected]
• 6.5@1
• 17.5@1
• 8.0@1
• 1.0@1
• 4.0@1
• 10.0@1
• [email protected]
• 24.0@5
• 1.0@10

針腳數(shù)

• 3
• 2

引腳節(jié)距

• 2.54mm
• 2.54mm

引線長度

• 19.05mm
• 12.7mm
• 17.5mm
• 12.9mm

下降時(shí)間

• 6μs
• 3.7μs
• 1.5μs
• 5μs
• 3.8μs
• 12μs
• 50μs
• 8μs
• 3.3μs
• 10μs
• 7μs
• 3.5μs

外寬

• 1.35mm
• 3.0mm
• 5.57mm
• 4.65mm
• 4.67mm
• 4.5mm
• 4.95mm
• 4.44mm
• 4.57mm
• 2.35mm
• 4mm
• 4.9mm
• 3mm

外部深度

• 2.8mm
• 1.5mm
• 2.65mm
• 2.3mm
• 4.29mm
• 1.25mm
• 2.54mm
• 2mm
• 0.95mm

外部長度/高度

• 3.3mm
• 3.5mm
• 1.05mm
• 5.7mm
• 2.95mm
• 5.08mm
• 2.9mm
• 4.9mm
• 2.54mm
• 5.58mm
• 7.61mm
• 4.0mm

輸出類型

• Transistor
• Phototransistor

視角

• 120°
• 10°
• 30°
• 60°
• 130°
• 20°
• 70°
• 74°
• 18°
• 12°
• 75°
• 50°
• 14°
• 15°
• 25°
• 26°

上升時(shí)間

• 3.7μs
• 15μs
• 7μs
• 100μs
• 10μs
• 5μs
• 6??s
• 12μs
• 3.8μs
• 6μs
• 75μs
• 8μs
• 3.3μs
• 1.5μs
• 3μs

器件標(biāo)號

• 6000
• 6200
• 5700
• 4400
• 5600

靈敏度

• 450nm to 1120nm
• 350nm to 970nm
• 380nm to 1180nm
• 420nm to 1100nm
• 750nm to 1120nm
• 50μA
• 75μA
• 475nm 至 650nm
• 730nm to 1120nm
• 200μA
• 350nm 至 950nm
• 430nm to 1150nm
• 840nm to 1080nm

晶體管類型

• NPN Epitaxial Planer Phototransistor
• NPN
• Photo
• ???電
• 光電
• Phototransistor

功耗

• 130mW
• 600mW
• 150mW
• 165mW
• 75mW
• 100mW
• 70mW
• 250mW

工作溫度范圍

• -30°C to +85°C
• -40°C to +85°C
• -65°C to +125°C
• -55°C to +125°C
• -40°C to +100°C
• -25°C to +85°C

工作溫度最低

• -30°C
• -25°C
• -65°C
• -40°C

工作溫度最高

• +85°C
• +100°C
• 85°C
• 100°C
• 125°C

封裝類型

• Radial
• SMD Compact Thin
• 側(cè)視
• TO-18
• Pill
• 側(cè)發(fā)光形
• PLCC-2
• Radial
• PLCC
• Side Emitting
• T-3/4
• SMD
• ??形
• SMD-3 Plastic
• 丸狀金屬殼
• T1
• T-1
• SCD-80
• 矩形
• T-1 3/4