| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TS5A21366DCUR - 芯片 模擬開(kāi)關(guān) 0.75Ω SPST 8US8 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:SPST
通道數(shù):2
帶寬:260MHz
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.75ohm
時(shí)間, t off:243ns
時(shí)間, t on:49ns
電源電壓范圍:1.6V to 5.5V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:VSSOP
針腳數(shù):8
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:VSSOP
器件標(biāo)號(hào):5
開(kāi)關(guān)數(shù):2
電源電壓:單
電源電壓 最大:5.5V
電源電壓 最小:1.65V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:0.75ohm
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上海 0 新加坡50 英國(guó)2172 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TS3A4751RUCR - 芯片 模擬開(kāi)關(guān) 0.9Ω SPST 14QFN |
模擬開(kāi)關(guān)類型:SPST
通道數(shù):4
帶寬:125MHz
通態(tài)電阻, Rds on 最大:1.5ohm
時(shí)間, t off:4ns
時(shí)間, t on:5ns
電源電壓范圍:1.6V to 3.6V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:QFN
針腳數(shù):14
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:QFN
器件標(biāo)號(hào):3
開(kāi)關(guān)數(shù):4
電源電壓:單
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:1.6V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:0.9ohm
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)1579 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TS3USB221ARSER. - 芯片 總線開(kāi)關(guān) ESD USB 2.0 |
芯片 總線開(kāi)關(guān) ESD USB 2.0
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)1928 新加坡111 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90CP22M-8/NOPB - 芯片 模擬交叉開(kāi)關(guān)陣列 |
芯片 模擬交叉開(kāi)關(guān)陣列
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)18 新加坡6 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS25CP104ATSQ/NOPB - 芯片 交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)陣列 3.125Gbps LVDS |
芯片 交叉點(diǎn)開(kāi)關(guān)陣列 3.125Gbps LVDS
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)39 新加坡 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TPS2051BD.. - 芯片 配電開(kāi)關(guān) |
芯片 配電開(kāi)關(guān)
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)900 新加坡635 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90CP22MT/NOPB - 芯片 交叉開(kāi)關(guān)陣列 2x2 LVDS 800Mbps |
芯片 交叉開(kāi)關(guān)陣列 2x2 LVDS 800Mbps
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)67 新加坡 0 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NLAS8252MUTAG - 芯片 模擬開(kāi)關(guān) DP3T |
芯片 模擬開(kāi)關(guān) DP3T
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无库存 |
1 |
1 |
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NATIONAL SEMICONDUCTOR - LMH6586VS/NOPB - 芯片 數(shù)字開(kāi)關(guān)陣列 |
芯片 數(shù)字開(kāi)關(guān)陣列
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美國(guó) 0 上海 0 美國(guó)119 新加坡 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - TS5A23157RSER - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:SPST
通道數(shù):2
帶寬:220MHz
通態(tài)電阻, Rds on 最大:10ohm
時(shí)間, t off:3.8ns
時(shí)間, t on:5.7ns
電源電壓范圍:1.65V to 5.5V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:QFN
針腳數(shù):10
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:10-QFN
電源電壓:單
電源電壓 最大:6V
電源電壓 最小:1.8V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:10ohm
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上海 0 美國(guó) 0 新加坡107 英國(guó)47 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - DG300BDJ-E3 - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:開(kāi)關(guān)
通道數(shù):2
通態(tài)電阻, Rds on 最大:30ohm
時(shí)間, t off:130ns
時(shí)間, t on:150ns
電源電壓范圍:± 15V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
針腳數(shù):14
封裝類型:DIP
器件標(biāo)號(hào):300
電源電壓:雙
電源電壓 最大:44V
通態(tài)電阻:30ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - DG419BDQ-T1-E3 - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:開(kāi)關(guān)
通道數(shù):1
通態(tài)電阻, Rds on 最大:15ohm
時(shí)間, t off:38ns
時(shí)間, t on:100ns
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:MSOP
針腳數(shù):8
封裝類型:MSOP
器件標(biāo)號(hào):419
電源電壓:雙
電源電壓 最大:44V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:15ohm
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上海 0 新加坡20 英國(guó)655 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - DG301BDJ-E3 - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:開(kāi)關(guān)
通道數(shù):2
通態(tài)電阻, Rds on 最大:30ohm
時(shí)間, t off:130ns
時(shí)間, t on:150ns
電源電壓范圍:± 15V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
針腳數(shù):14
封裝類型:DIP
器件標(biāo)號(hào):301
電源電壓:雙
電源電壓 最大:44V
通態(tài)電阻:30ohm
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)33 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - DG333ADW-T1-E3 - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:模擬開(kāi)關(guān)
通道數(shù):4
通態(tài)電阻, Rds on 最大:25ohm
時(shí)間, t off:145ns
時(shí)間, t on:175ns
電源電壓范圍:5V to 40V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):20
封裝類型:SOIC
器件標(biāo)號(hào):333
電源電壓:雙
電源電壓 最大:44V
電源電壓 最小:4V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:25ohm
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无库存 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - DG9431DV-T1-E3 - 芯片 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 |
模擬開(kāi)關(guān)類型:開(kāi)關(guān)
通道數(shù):1
通態(tài)電阻, Rds on 最大:20ohm
???間, t off:20ns
時(shí)間, t on:35ns
電源電壓范圍:2.7V to 12V
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:TSOP
針腳數(shù):6
封裝類型:TSOP
器件標(biāo)號(hào):9431
電源電壓:單
電源電壓 最大:13V
電源電壓 最小:2.7V
表面安裝器件:表面安裝
通態(tài)電阻:20ohm
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无库存 |
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