| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7380QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7379QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7342QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7313QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7304QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7303QTRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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DIODES INC. - ZXMN3G32DN8TA - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SO-8 |
模塊配置:Dual N Channel
晶體管極性:Dual N
漏極電流, Id 最大值:7.1A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.028ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
功耗:2.1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds 典型值:30V
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Id 連續(xù):7.1A
電流, Idm 脈沖:33.6A
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.028ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
閾值電壓, Vgs th 最低:1V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)55 |
1 |
1 |
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VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 雙MOSFET NP 每卷2500 |
模塊配置:NP
晶體管極性:N溝道/P溝道互補(bǔ)
漏極電流, Id 最大值:4.4A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.036ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:1.1W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
封裝類型:SOIC
晶體管數(shù):2
晶體管類型:MOSFET
每卷數(shù)量:2500
表面安裝器件:表面安裝
N溝道柵極電荷 Qg:13nC
P溝道柵極電荷 Qg:15nC
功率, Pd:1.1W
帶子寬度:12mm
最高電壓, Vds P溝道:30V
漏極連續(xù)電???, Id P溝道:3.7A
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds N溝道 1:30V
電壓, Vds P溝道 1:30V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):5.9A
電流, Idm 脈沖:30A
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道:0.036ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道:0.053ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道:0.053ohm
通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道:0.09ohm
通態(tài)電阻, Rds on P溝道 最大:0.053ohm
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)1 |
2,500 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7316QPBF - 雙MOSFET PP SO-8 |
模塊配置:Dual P Channel
晶體管極性:Dual P
漏極電流, Id 最大值:-4.9A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.042ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:-10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
功率, Pd:2.0W
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):4.9A
電流, Idm 脈沖:30A
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7313QPBF - 雙MOSFET NN SO-8 |
模塊配置:Dual N Channel
晶體管極性:Dual N
漏極電流, Id 最大值:6.5A
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.023ohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
功耗:2W
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
功率, Pd:2.0W
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:30V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):6.5A
電流, Idm 脈沖:30A
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7103QPBF - 雙MOSFET NN SO-8 |
晶體管極性:Dual N
漏極電流, Id 最大值:3A
電壓, Vds 最大:50V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):130mohm
電壓 @ Rds測(cè)量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
功耗:2.4W
工作溫度范圍:-55°C to +175°C
封裝類型:SOIC
封裝類型:SOIC
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
功率, Pd:2.4W
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
電壓, Vds:50V
電壓, Vds 典型值:50V
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Id 連續(xù):3A
電流, Idm 脈沖:25A
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停产 |
1 |
1 |
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ROHM - US6K1TR - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙 NN |
晶體管極性:Dual N
電壓, Vds 最大:30V
開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.34ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
封裝類型:TUMT6
封裝類型:TUMT6
晶體管類型:Low Gate Drive
表面安裝器件:表面安裝
功率, Pd:1W
電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:2.5V
電壓, Vds 典型值:30V
電流, Id 連續(xù):1.5A
電流, Idm 脈沖:6A
閾值電壓, Vgs th 最低:1.5V
閾值電壓, Vgs th 最高:0.5V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2023 |
1 |
1 |
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ON SEMICONDUCTOR - NTMD6N02R2G - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)438
新加坡 0 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7907PBF. - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
5 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF7504TRPBF - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET |
場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET
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无库存 |
1 |
1 |
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