| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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DIODES ZETEX - DMN2004DMK-7 - 場效應管 MOSFET 雙N溝道 SOT-26 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):550mohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-26
SVHC(高度關注物質):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-26
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):540mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - 2N7002VC-7 - 場效應管 MOSFET 雙N溝道 60V SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):13.5ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關注物質):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - 2N7002VAC-7 - 場效應管 MOSFET 雙N溝道 60V SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):13.5ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關注物質):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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SEMIKRON - SK85MH10T - 場效應管模塊 MOSFET H橋 100V |
模塊配置:H Bridge Inverter
晶體管極性:N
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
電壓 @ Rds測量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
外部長度/高度:15.43mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):4
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:螺絲安裝
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:100V
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:120A
芯片封裝類型:A
閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0 新加坡2 英國5 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK115MD10 - 場效應管模塊 MOSFET 100V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:80A
電壓, Vds 最大:75V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.0075ohm
電壓 @ Rds測量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 3
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
外部長度/高度:15.43mm
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管數(shù):6
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:螺絲安裝
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:75V
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:120A
芯片封裝類型:B
閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英國15 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK70MD075 - 場效應管模塊 MOSFET 75V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N溝道
漏極電流, Id 最大值:100A
電壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.005ohm
電壓 @ Rds測量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
外部長度/高度:15.43mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):4
晶體管類型:MOSFET
表面安裝器件:螺絲安裝
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:75V
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Id 連續(xù):100A
電流, Idm 脈沖:140A
芯片封裝類型:A
閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英國15 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK85MH10 - 場效應管模塊 MOSFET H橋 100V |
晶體管極性:N溝道
電壓, Vds 最大:100V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
外部長度/高度:15.43mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):4
晶體管類型:MOSFET
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
溫度 @ 電流測量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Id 連續(xù):80A
電流, Idm 脈沖:120A
芯片封裝類型:A
閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
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停产 |
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