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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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ZETEX - ZXMN6A25DN8 - 場效應(yīng)管 MOSFET N DUAL SO-8 |
晶體管極性:N溝道(雙)
電壓, Vds 最大:60V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.055ohm
電壓 @ Rds測量:10V
封裝類型:SO
針腳數(shù):8
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SO-8 (SOIC-8)
晶體管數(shù):2
晶體管類型:MOSFET
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:ZXMN6A25D
功率, Pd:1.25W
總功率, Ptot:1.8W
溫度 @ 電流測量:25°C
電流, Id 連續(xù):4.7A
電流, Idm 脈沖:22A
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.055ohm
閾值電壓, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
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1 |
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ZETEX - ZXMN6A11DN8 - 場效應(yīng)管 MOSFET N DUAL SO-8 |
晶體管極性:N溝道(雙)
電壓, Vds 最大:60V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.14ohm
電壓 @ Rds測量:10V
封裝類型:SO
針腳數(shù):8
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SO-8 (SOIC-8)
晶體管數(shù):2
晶體管類型:MOSFET
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:ZXMN6A11D
功率, Pd:1.8W
總功率, Ptot:1.8W
溫度 @ 電流測量:25°C
電流, Id 連續(xù):2.7A
電流, Idm 脈沖:8.3A
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.14ohm
閾值電壓, Vgs th 最低:1V
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无库存 |
1 |
1 |
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ZETEX - ZXMP3A16DN8 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙 PP SO-8 |
晶體管極性:N溝道(雙)
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):0.045ohm
電壓 @ Rds測量:10V
封裝類型:SO
針腳數(shù):8
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SO-8 (SOIC-8)
晶體管數(shù):2
晶體管類型:MOSFET
結(jié)溫, Tj 最低:-55°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:ZXMP3A16
功率, Pd:1.25W
總功率, Ptot:1.25W
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電流, Id 連續(xù):5.5A
電流, Idm 脈沖:20A
通態(tài)電阻, Rds on N溝道 最大:0.045ohm
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.045ohm
閾值電壓, Vgs th 最低:-1V
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无库存 |
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1 |
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TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 0.2A 20V SOT23 |
模塊配置:Dual P Channel
晶體管極性:PP
漏極電流, Id 最大值:-200mA
電壓, Vds 最大:-20V
開態(tài)電阻, Rds(on):3.3ohm
電壓 @ Rds測量:-4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.1V
功耗:300mW
封裝類型:US6
封裝類型:US6
晶體管類型:Small Signal MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):0.2A
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上海 0 新加坡 0 英國2685 |
1 |
1 |
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TOSHIBA - SSM6N7002FU(TE85LF - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 0.2A 60V SOT23 |
模塊配置:Dual N Channel
晶體管極性:NN
漏極電流, Id 最大值:200mA
電???, Vds 最大:60V
開態(tài)電阻, Rds(on):3ohm
電壓 @ Rds測量:10V
閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
功耗:300mW
封裝類型:US6
封裝類型:US6
晶體管類型:Small Signal MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):0.2A
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上海 0 新加坡 0 英國4930 |
1 |
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TOSHIBA - SSM6N17FU(TE85LF) - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 0.1A 50V SOT23 |
場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 0.1A 50V SOT23
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上海 0 新加坡 0 英國4866 |
1 |
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TOSHIBA - SSM6L16FE(TE85LF) - 場效應(yīng)管 MOSFET NP溝道 SSOTFMLP |
模塊配置:NP
晶體管極性:NP
漏極電流, Id 最大值:100mA
電壓, Vds 最大:20V
開態(tài)電阻, Rds(on):4ohm
電壓 @ Rds測量:-4V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.1V
功耗:150mW
封裝類型:ES6
封裝類型:ES6
晶體管類型:Small Signal MOSFET
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):0.1A
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上海 0 新加坡 0 英國2093 |
1 |
1 |
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DIODES ZETEX - DMP2240UDM-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙P溝道 SOT-26 |
晶體管極性:P Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):150mohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:-1V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-26
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-26
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:-4.5V
電壓, Vds 典型值:-20V
電流, Id 連續(xù):-2A
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN601VK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.6V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:60V
電流, Id 連續(xù):305mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06VK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:50V
電流, Id 連續(xù):280mA
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无库存 |
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5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06VAK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:50V
電流, Id 連續(xù):280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06DMK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-26 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-26
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-26
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:50V
電流, Id 連續(xù):305mA
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无库存 |
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DIODES ZETEX - DMN5010VAK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-563 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
電壓, Vds 典型值:50V
電流, Id 連續(xù):280mA
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无库存 |
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DIODES ZETEX - DMN2004VK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-563 |
晶體管極性:N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):550mohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-563
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-563
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):540mA
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无库存 |
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DIODES ZETEX - DMN2004DWK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-363 |
晶體管極性:Dual N Channel
開態(tài)電阻, Rds(on):550mohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-363
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
封裝類型:SOT-363
晶體管類型:Enhancement
表面安裝器件:表面安裝
電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
電壓, Vds 典型值:20V
電流, Id 連續(xù):540mA
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无库存 |
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