TOSHIBA - SSM6P05FU(TE85LF) - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 0.2A 20V SOT23
制造商：TOSHIBA
庫存編號：
制造商編號：SSM6P05FU(TE85LF)
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國2685
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 4.30
價格：
庫存編號：
制造商編號：SSM6P05FU(TE85LF)
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國2685
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 4.30
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 4.30 |
| 25 - 99 | CNY 3.80 |
| 100 - 249 | CNY 3.50 |
| 250+ | CNY 3.20 |
描述信息：
- 模塊配置:Dual P Channel
- 晶體管極性:PP
- 漏極電流, Id 最大值:-200mA
- 電壓, Vds 最大:-20V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):3.3ohm
- 電壓 @ Rds測量:-4V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.1V
- 功耗:300mW
- 封裝類型:US6
- 封裝類型:US6
- 晶體管類型:Small Signal MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):0.2A
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00001
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 模塊配置:Dual P Channel
- 晶體管極性:PP
- 漏極電流, Id 最大值:-200mA
- 電壓, Vds 最大:-20V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):3.3ohm
- 電壓 @ Rds測量:-4V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.1V
- 功耗:300mW
- 封裝類型:US6
- 封裝類型:US6
- 晶體管類型:Small Signal MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):0.2A
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