SEMIKRON - SK85MH10T - 場效應(yīng)管模塊 MOSFET H橋 100V
制造商：SEMIKRON
庫存編號：
制造商編號：SK85MH10T
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡2, 英國5
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 474.50
價格：
庫存編號：
制造商編號：SK85MH10T
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡2, 英國5
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 474.50
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 4 | CNY 474.50 |
| 5 - 14 | CNY 347.90 |
| 15+ | CNY 339.50 |
描述信息：
- 模塊配置:H Bridge Inverter
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:80A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
- 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
- 封裝類型:SEMITOP 2
- 外寬:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 外部長度/高度:15.43mm
- 封裝類型:SEMITOP 2
- 晶體管數(shù):4
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:螺絲安裝
- 安裝孔中心距:38mm
- 安裝孔直徑:2mm
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 電流, Id 連續(xù):80A
- 電流, Idm 脈沖:120A
- 芯片封裝類型:A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.02
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 模塊配置:H Bridge Inverter
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:80A
- 電壓, Vds 最大:100V
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.007ohm
- 電壓 @ Rds測量:10V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
- 工作溫度范圍:-40°C to +150°C
- 封裝類型:SEMITOP 2
- 外寬:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 外部長度/高度:15.43mm
- 封裝類型:SEMITOP 2
- 晶體管數(shù):4
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:螺絲安裝
- 安裝孔中心距:38mm
- 安裝孔直徑:2mm
- 溫度 @ 電流測量:25°C
- 滿功率溫度:25°C
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
- 電壓, Vds 典型值:100V
- 電壓, Vgs 最高:20V
- 電流, Id 連續(xù):80A
- 電流, Idm 脈沖:120A
- 芯片封裝類型:A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2.5V
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