| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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MICROCHIP - 23K640-I/SN. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口
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美國 0
上海 0
美國636
新加坡 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K640-I/P. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 2.7V 串口
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美國 0
上海 0
美國59
新加坡 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K256-I/P. - 芯片 SRAM 256K 32K X 8 2.7V 串口 |
芯片 SRAM 256K 32K X 8 2.7V 串口
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美國 0
上海 0
美國111
新加坡 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A640-I/SN. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口
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美國 0
上海 0
美國100
新加坡 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A640-I/P. - 芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口 |
芯片 SRAM 64K 8K X 8 1.7V 串口
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美國 0
上海 0
美國89
新加坡 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V SOIC8 |
存儲器容量:8Kbit
存儲器配置:8K x 8bit
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:3V
存儲器電壓, Vccq:3V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:2.7V
表面安裝器件:表面安裝
頻率:20MHz
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上海45
新加坡480
英國248 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 2.7V PDIP8 |
存儲器容量:8Kbit
存儲器配置:8K x 8bit
封裝類型:DIP
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:3V
存儲器電壓, Vccq:3V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:2.7V
表面安裝器件:通孔安裝
頻率:20MHz
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上海45
新加坡596
英國 0 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V SOIC8 |
存儲器容量:32Kbit
存儲器配置:32K x 8bit
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
存儲器容量:256Kbit
存儲器電壓 Vcc:3V
存儲器電壓, Vccq:3V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:2.7V
表面安裝器件:表面安裝
頻率:20MHz
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上海25
新加坡465
英國2087 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23K256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 2.7V PDIP8 |
存儲器容量:32Kbit
存儲器配置:32K x 8bit
封裝類型:DIP
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
存儲器容量:256Kbit
存儲器電壓 Vcc:3V
存儲器電壓, Vccq:3V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:3.6V
電源電壓 最小:2.7V
表面安裝器件:通孔安裝
頻率:20MHz
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上海16
新加坡153
英國557 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A640-I/SN - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V SOIC8 |
存儲器容量:8Kbit
存儲器配置:8K x 8bit
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:1.8V
存儲器電壓, Vccq:1.8V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:1.95V
電源電壓 最小:1.7V
表面安裝器件:表面安裝
頻率:16MHz
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上海45
新加坡629
英國13 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A640-I/P - 芯片 SRAM 串口 64K 1.7V PDIP8 |
存儲器容量:8Kbit
存儲器配置:8K x 8bit
封裝類型:DIP
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:1.8V
存儲器電壓, Vccq:1.8V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:1.95V
電源電壓 最小:1.7V
表面安裝器件:通孔安裝
頻率:16MHz
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上海45
新加坡628
英國65 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A256-I/SN - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V SOIC8 |
存儲器容量:32Kbit
存儲器配置:32K x 8bit
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:SOIC
存儲器容量:256Kbit
存儲器電壓 Vcc:1.8V
存儲器電壓, Vccq:1.8V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:1.95V
電源電壓 最小:1.7V
表面安裝器件:表面安裝
頻率:16MHz
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上海26
新加坡425
英國157 |
1 |
1 |
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MICROCHIP - 23A256-I/P - 芯片 SRAM 串口 256K 1.7V PDIP8 |
存儲器容量:32Kbit
存儲器配置:32K x 8bit
封裝類型:DIP
針腳數(shù):8
工作溫度范圍:-40°C to +85°C
封裝類型:DIP
存儲器容量:256Kbit
存儲器電壓 Vcc:1.8V
存儲器電壓, Vccq:1.8V
存儲器類型:SRAM
接口類型:Serial, SPI
電源電壓 最大:1.95V
電源電壓 最小:1.7V
表面安裝器件:通孔安裝
頻率:16MHz
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上海25
新加坡34
英國43 |
1 |
1 |
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CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY7C185-20PXC - SRAM 64K 8KX8 20NS DIP28 |
存儲器容量:64Kbit
存儲器配置:8K x 8bit
訪問時間:20ns
封裝類型:DIP
針腳數(shù):28
工作溫度范圍:0°C to +70°C
封裝類型:DIP
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:5V
存儲器電壓, Vccq:5V
存儲器類型:SRAM
電源電壓 最大:5.5V
電源電壓 最小:4.5V
表面安裝器件:通孔安裝
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上海 0
新加坡12
英國1142 |
1 |
1 |
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CYPRESS SEMICONDUCTOR - CY6264-70SNXC - 芯片 SRAM 64K 5V SMD 6264 管裝27只 |
存儲器配置:8K x 8bit
訪問時間:70ns
封裝類型:SOIC
針腳數(shù):28
工作溫度范圍:0°C to +70°C
封裝類型:SOIC
工作溫度最低:0°C
工作溫度最高:70°C
器件標號:6264
存儲器容量:64Kbit
存儲器電壓 Vcc:5V
存儲器類型:SRAM
封裝類型:管裝
溫度范圍:商用
電壓, Vcc:5V
電源電壓 最大:5.5V
電源電壓 最小:4.5V
芯片標號:6264
表面安裝器件:表面安裝
邏輯功能號:6264
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无库存 |
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