VISHAY SILICONIX - SI9926CDY-T1-E3 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET 雙路 NN SO-8
制造商：VISHAY SILICONIX
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI9926CDY-T1-E3
庫(kù)存狀態(tài)：上海65, 新加坡 0 , 英國(guó) 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 9.83
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：SI9926CDY-T1-E3
庫(kù)存狀態(tài)：上海65, 新加坡 0 , 英國(guó) 0
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 9.83
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 9.83 |
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:Dual N
- 漏極電流, Id 最大值:8A
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.018ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
- 功耗:3.1W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類(lèi)型:SO
- 封裝類(lèi)型:SO-8
- 晶體管類(lèi)型:MOSFET
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 上升時(shí)間:10ns
- 功率, Pd:3.1W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):8A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:0.6V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.0004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:Dual N
- 漏極電流, Id 最大值:8A
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.018ohm
- 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.5V
- 功耗:3.1W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類(lèi)型:SO
- 封裝類(lèi)型:SO-8
- 晶體管類(lèi)型:MOSFET
- 結(jié)溫, Tj 最高:150°C
- 表面安裝器件:表面安裝
- 上升時(shí)間:10ns
- 功率, Pd:3.1W
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):8A
- 閾值電壓, Vgs th 最低:0.6V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:1.5V
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