SANYO - FTD2011A-TL-E - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 4A TSSOP8
制造商：SANYO
庫存編號：
制造商編號：FTD2011A-TL-E
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國90
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 11.77
價格：
庫存編號：
制造商編號：FTD2011A-TL-E
庫存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國90
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價格(不含稅)：CNY 11.77
價格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 11.77 |
| 25 - 99 | CNY 10.03 |
| 100 - 249 | CNY 8.07 |
| 250 - 499 | CNY 6.87 |
| 500+ | CNY 5.78 |
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:4A
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開態(tài)??阻, Rds(on):39mohm
- 電壓 @ Rds測量:4V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.3W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:TSSOP
- 封裝類型:TSSOP
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):4A
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.00004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 模塊配置:Dual N Channel
- 晶體管極性:N
- 漏極電流, Id 最大值:4A
- 電壓, Vds 最大:20V
- 開態(tài)??阻, Rds(on):39mohm
- 電壓 @ Rds測量:4V
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.3W
- 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
- 封裝類型:TSSOP
- 封裝類型:TSSOP
- 晶體管類型:MOSFET
- 表面安裝器件:表面安裝
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4V
- 電壓, Vds 典型值:20V
- 電流, Id 連續(xù):4A
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