| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP15RA-120-50 - 晶體管 IGBT模塊 IPM 含6只 15A 1200V NPT |
模??配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:NPT
集電極直流電流:15A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:92W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-20°C to +100°C
封裝類(lèi)型:P617
外寬:64mm
外部深度:46mm
外部長(zhǎng)度/高度:18mm
封裝類(lèi)型:P617
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT模塊
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:1200ns
下降時(shí)間:3600ns
功率, Pd:92W
功耗:92W
最大連續(xù)電流, Ic:15A
溫度 @ 電???測(cè)量:25°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:15A
電流, Icm 脈沖:30A
隔離電壓:2500V
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停产 |
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FUJI ELECTRIC - 6MBP15RH-060-50 - 晶體管 IGBT模塊 IPM 含6只 15A 600V PT |
模塊配??:Three Phase Inverter
晶體管極性:PT
集電極直流電流:15A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:40W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-20°C to +100°C
封裝類(lèi)型:P617
外寬:70mm
外部深度:46mm
外部長(zhǎng)度/高度:16mm
封裝類(lèi)型:P617
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT模塊
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:500ns
下降時(shí)間:3500ns
功率, Pd:40W
功耗:40W
最大連續(xù)電流, Ic:15A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:15A
電流, Icm 脈沖:30A
隔離電壓:2500V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)3 |
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INFINEON - IKCS12F60AA - 智能IGBT模塊 |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:NPN
集電極直流電流:12A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:35W
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類(lèi)型:MSIP-20
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:MSIP-20
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:通孔安裝
功耗:35W
最大連續(xù)電流, Ic:12A
電壓, Vces:600V
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停产 |
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INFINEON - BSM75GAR120DN2 - 晶體管 IGBT模塊 斬波器 1200V |
模塊配置:Single with Diode
晶體管極性:NPN
集電極直流電流:105A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:625W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:M34a
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:M34a
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
功率, Pd:625W
最大連續(xù)電流, Ic:75A
電壓, Vces:1200V
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无库存 |
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1 |
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INFINEON - BSM50GB120DLC - 晶體管 IGBT雙管模塊 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:115A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:460W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Half Bridge 1
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Half Bridge 1
封裝類(lèi)型, 替代:M34a
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:0.05μs
下降時(shí)間:0.03μs
功率, Pd:460W
功耗:460W
最大連續(xù)電流, Ic:50A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:100A
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)3 |
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INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶體管 IGBT雙管模塊 1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
集電極直流電流:78A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:400W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Half Bridge 1
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Half Bridge 1
封裝類(lèi)型, 替代:M34a
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:100ns
下降時(shí)間:100ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大連續(xù)電流, Ic:50A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:100A
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)10 |
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INFINEON - BSM100GD120DN2 - 晶體管 IGBT模塊 1200V ECONOPACK3 |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:150A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:680W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Econopack 3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Econopack 3
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:焊接型
功率, Pd:680W
功耗:680W
最大連續(xù)電流, Ic:100A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:200A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)1 |
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INFINEON - BSM50GD120DN2 - 晶體管 IGBT模塊 1200V ECONOPACK3 |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:72A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:350W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Econopack 3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Econopack 3
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:焊接型
功率, Pd:350W
功耗:350W
最大連續(xù)電流, Ic:50A
???度 @ 電流測(cè)量:80°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:100A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)15 |
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INFINEON - BSM25GD120DN2 - 晶體管 IGBT模塊 1200V ECONOPACK3 |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:35A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:200W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Econopack 2
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Econopack 2
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:焊接型
功率, Pd:200W
功耗:200W
最大連續(xù)電流, Ic:25A
???度 @ 電流測(cè)量:80°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:50A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.5V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)12 |
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INFINEON - BSM10GD120DN2 - 晶體管 IGBT模塊 1200V ECONOPACK3 |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:15A
飽和電壓, Vce sat 最大:3.2V
最大功耗:80W
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Econopack 3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Econopack 3
晶體管數(shù):6
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:焊接型
功率, Pd:80W
功耗:80W
最大連續(xù)電流, Ic:15A
??度 @ 電流測(cè)量:80°C
滿(mǎn)功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:30A
飽和電壓 Vce sat 典型值:2.7V
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)20 |
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SEMIKRON - SKM 200 GB 128 D - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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无库存 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4FPBF - 絕緣金屬物質(zhì)功率模塊 |
絕緣金屬物質(zhì)功率模塊
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无库存 |
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1 |
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INFINEON - FF300R12KE3 - 晶體管 IGBT雙管模塊 1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
集電極直流電流:440A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:1.45kW
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Econopack 3
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Econopack 3
封裝類(lèi)型, 替代:M62a
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:0.09μs
下降時(shí)間:0.13μs
功率, Pd:1450W
功耗:1450W
最大連續(xù)電流, Ic:300A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:600A
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上海 0 新加坡 0 英國(guó)1 |
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INFINEON - BSM200GB120DN2 - 晶體管 IGBT雙管模塊 1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
集電極直流電流:290A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
最大功耗:1.4kW
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +125°C
封裝類(lèi)型:Half Bridge 2
SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封裝類(lèi)型:Half Bridge 2
封裝類(lèi)型, 替代:M62a
晶體管類(lèi)型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:160ns
下降時(shí)間:120ns
功率, Pd:1400W
功耗:1400W
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:400A
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无库存 |
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INFINEON - BSM200GB120DLC - 晶體管 IGBT模塊 1200V ECONOPACK3 |
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
電壓, Vceo:1200V
封裝類(lèi)型:Econopack 3
封裝類(lèi)型:Econopack 3
封裝類(lèi)型, 替代:M62a
晶體管類(lèi)型:IGBT + freewheel diode
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:0.05μs
下降時(shí)間:0.04μs
功率, Pd:1300W
功耗:1.3kW
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測(cè)量:80°C
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:400A
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无库存 |
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