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SEMIKRON - SK10GH123 - 晶體管 IGBT模塊 半橋 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:16A
飽和電壓, Vce sat 最大:3.2V
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數:4
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:45ns
功率, Pd:1800W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:16A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:32A
集電極電流, Ic 平均值:16A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:11A
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SEMIKRON - SK60GAL123 - 晶體管 IGBT模塊 斬波 1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:58A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
電??, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數:1
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標號:SEMITOP2
上升時間:90ns
功率, Pd:600W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:58A
溫度 @ 電流測量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:57A
集電極電流, Ic 平均值:58A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:40A
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