| 圖片 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
庫(kù)存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價(jià)格
(不含稅) |
數(shù)量 |
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SEMIKRON - SEMIX252GB126HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1200V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:270A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1.2V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:45ns
最大連續(xù)電流, Ic:270A
電壓, Vces:1200V
電壓, Vrrm:1200V
電流, Icm 脈沖:400A
電流, Ifs 最大:1000A
集電極電流, Ic 平均值:270A
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)6 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX603GAR066HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X600V |
模塊配置:Single with Diode
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:790A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:1V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMiX 3s
封裝類型:SEMiX 3s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:145ns
最大連續(xù)電流, Ic:790A
電壓, Vces:600V
電壓, Vrrm:600V
電流, Icm 脈沖:1200A
電流, Ifs 最大:1800A
集電極電流, Ic 平均值:790A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX402GB066HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X600V |
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:509A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:1V
工作??度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時(shí)間:125ns
最大連續(xù)電流, Ic:530A
電壓, Vces:600V
電壓, Vrrm:1600V
電流, Icm 脈沖:800A
電流, Ifs 最大:1800A
集電極電流, Ic 平均值:530A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 145GB123D - 晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 2 |
晶體管 IGBT模塊 Vceo:1200V Case 2
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美國(guó) 0
上海 0
美國(guó)9
新加坡 0 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 100A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:100A
飽和電???, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:690W
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M234
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M234
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.4kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:300ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大連續(xù)電流, Ic:100A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:75A
電流, Icm 脈沖:300A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)1 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI75S-120 - 晶體管 IGBT模塊 1200V 75A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:100A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:600W
電壓, Vceo:1200V
封裝類型:M232
外寬:92mm
外部深度:34mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M232
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:300ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大連續(xù)電流, Ic:100A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:1200V
電流, Ic @ Vce飽和:75A
電??, Icm 脈沖:200A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)59 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI400N-060 - 晶體管 IGBT模塊 600V 400A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:400A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:1.5kW
電壓, Vceo:600V
封裝類型:M235
外寬:108mm
外部深度:62mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M235
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:350ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
最大連續(xù)電流, Ic:400A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:400A
電流, Icm 脈沖:800A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)11 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI200N-060 - 晶體管 IGBT模塊 600V 200A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:200A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:780W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:M233
外寬:92mm
外部深度:45mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M233
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:350ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大連續(xù)電流, Ic:200A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:200A
電流, Icm 脈沖:400A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)3 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI150N-060 - 晶體管 IGBT模塊 600V 150A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:150A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:600W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:M233
外寬:92mm
外部深度:45mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M233
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:350ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大連續(xù)電流, Ic:150A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:150A
電流, Icm 脈沖:300A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)3 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100N-060 - 晶體管 IGBT模塊 600V 100A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:100A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:400W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:M232
外寬:92mm
外部深度:34mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M232
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:350ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大連續(xù)電流, Ic:100A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:100A
電流, Icm 脈沖:200A
隔離電壓:2500V
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无库存 |
1 |
1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI50N-060 - 晶體管 IGBT模塊 600V 50A |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N 通道
集電極直流電流:50A
飽和電壓, Vce sat ???大:2.8V
最大功耗:250W
電壓, Vceo:600V
封裝類型:M232
外寬:92mm
外部深度:34mm
外部長(zhǎng)度/高度:30mm
封裝類型:M232
晶體管數(shù):2
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
重量:0.18kg
上升時(shí)間:600ns
下降時(shí)間:350ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
最大連續(xù)電流, Ic:50A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
滿功率溫度:25°C
電壓, Vces:600V
電流, Ic @ Vce飽和:50A
電流, Icm 脈沖:100A
隔離電壓:2500V
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 353GD176HDC - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1700V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:365A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
電壓, Vceo:1700V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 33c
外寬:162mm
外部深度:150mm
封裝類型:SEMiX 33c
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標(biāo)號(hào):SEMiX 33c
上升時(shí)間:75ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.5mm
最大連續(xù)電流, Ic:380A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1700V
電壓, Vces:1700V
電流, Icm 脈沖:380A
集電極電流, Ic 平均值:380A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:270A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 101GD126HDS - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:130A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 13s
外寬:137.8mm
外部深度:61.7mm
封裝類型:SEMiX 13s
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標(biāo)號(hào):SEMiX13s
上升時(shí)間:39ns
安裝孔中心距:50mm
安裝孔直徑:5.4mm
最大連續(xù)電流, Ic:120A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:120A
集電極電流, Ic 平均值:120A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:85A
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)2 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK35GD126ET - 晶體管 IGBT模塊 6晶體管 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:40A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 3
外寬:55mm
外部深度:31mm
封裝類型:SEMITOP 3
晶體管數(shù):6
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標(biāo)號(hào):SEMITOP3
上升時(shí)間:30ns
功率, Pd:1050W
安裝孔中心距:52.5mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:40A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:80A
集電極電流, Ic 平均值:40A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:32A
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)7 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK20GH123 - 晶體管 IGBT模塊 半橋 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:23A
飽和電壓, Vce sat 最大:3V
電壓, Vceo:1200V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 2
外寬:40.5mm
外部深度:28mm
封裝類型:SEMITOP 2
晶體管數(shù):4
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
SMD標(biāo)號(hào):SEMITOP2
上升時(shí)間:45ns
功率, Pd:1400W
安裝孔中心距:38mm
安裝孔直徑:2mm
最大連續(xù)電流, Ic:23A
溫度 @ 電流測(cè)量:25°C
電壓:1200V
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:46A
集電極電流, Ic 平均值:23A
集電極連續(xù)電流, Ic 最大值:15A
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上海 0
新加坡 0
英國(guó)9 |
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