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型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格 (不含稅) |
數(shù)量 |
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SEMIKRON - SK30DGDL066ET - 橋式整流器 3相 |
模塊配置:串聯(lián) 晶閘管 + 二極管
集電極直流電流:38A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.85V
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:Semitop 3
封裝類型:Semitop 3
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:175°C
表面安裝器件:螺絲安裝
晶閘管/雙向晶閘管類型:晶閘管/二極管模塊
電壓, Vdrm:800V
電壓, Vrrm:800V
電流, If @ Vf:30A
電流, Itsm (50Hz):370A
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上海 0 新加坡 0 英國8 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK75DGDL066T - 橋式整流器 3相 |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:81A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.85V
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:Semitop 4
封裝類型:Semitop 4
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:175°C
表面安裝器件:螺絲安裝
晶閘管/雙向晶閘管類型:晶閘管/二極管模塊
電壓, Vdrm:800V
電壓, Vrrm:800V
電流, If @ Vf:35A
電流, Itsm (50Hz):700A
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上海 0 新加坡 0 英國6 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK25DGD065ET - 橋式整流器 3相 |
模塊配置:串聯(lián) 晶閘管 + 二極管
集電極直流電流:30A
飽和電壓, Vce sat 最大:2V
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:Semitop 3
封裝類型:Semitop 3
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
晶閘管/雙向晶閘管類型:晶閘管/二極管模塊
電壓, Vdrm:800V
電壓, Vrrm:800V
電流, If @ Vf:25A
電流, Igt:100mA
電流, Itsm:370A
電流, Itsm (50Hz):370A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK9DGD065ET - 橋式整流器 3相 |
模塊配置:串聯(lián) 晶閘管 + 二極管
集電極直流電流:12A
飽和電壓, Vce sat 最大:2V
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:Semitop 3
封裝類型:Semitop 3
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
晶閘管/雙向晶閘管類型:晶閘管/二極管模塊
電壓, Vdrm:800V
電壓, Vrrm:800V
電流, If @ Vf:20A
電流, Itsm:220A
電流, Itsm (50Hz):220A
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上海 0 新加坡 0 英國7 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 100GB123D - 晶體管 IGBT模塊 100A |
晶體管 IGBT模塊 100A
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美國 0 上海 0 美國12 新加坡 0 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 100GAL123D - 晶體管 IGBT模塊 |
晶體管 IGBT模塊
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美國 0 上海 0 美國13 新加坡 0 |
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SEMIKRON - SK100GD126T - 晶體管 IGBT模塊 6單元 114A 1200V 溝槽(Trench)技術(shù) |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:114A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:33ns
下降時間:88ns
最大連續(xù)電流, Ic:114A
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:200A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.7V
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上海 0 新加坡 0 英國4 |
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1 |
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SEMIKRON - SK50GD126T - 晶體管 IGBT模塊 6單元 68A 1200V 溝槽(Trench)技術(shù) |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:68A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.1V
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:5.6ns
下降時間:5.6ns
最大連續(xù)電流, Ic:68A
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:100A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SK200GD066T - 晶體管 IGBT模塊 6單元 158A 600V 溝槽(Trench)技術(shù) |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:174A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:1V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:568ns
下降時間:48ns
最大連續(xù)電流, Ic:174A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:400A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.45V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK100GD066T - 晶體管 IGBT模塊 6單元 96A 600V 溝槽(Trench)技術(shù) |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:105A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.85V
電壓, Vceo:1.1V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:128ns
下降時間:91ns
最大連續(xù)電流, Ic:100A
電壓, Vces:600V
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.85V
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上海 0 新加坡 0 英國2 |
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SEMIKRON - SK100DGDL066T - 晶體管 IGBT整流/逆變/制動模塊(CIB) 96A 600V |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:106A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:600V
工作溫度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:40ns
下降時間:50ns
最大連續(xù)電流, Ic:106A
電壓, Vces:600V
電流, Icm 脈沖:200A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.45V
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无库存 |
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SEMIKRON - SK50DGDL126T - 晶體管 IGBT整流/逆變/制動模塊(CIB) 68A 1200V |
模塊配置:Three Phase Inverter
集電極直流電流:68A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.15V
電壓, Vceo:1.2kV
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMITOP 4
封裝類型:SEMITOP 4
晶體管類型:IGBT Module
結(jié)溫, Tj 最低:-40°C
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:30ns
下降時間:90ns
最大連續(xù)電流, Ic:68A
電壓, Vces:1200V
電流, Icm 脈沖:100A
飽和電壓 Vce sat 典型值:1.7V
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上海 0 新加坡 0 英國4 |
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SEMIKRON - SEMIX202GB066HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X600V |
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:274A
飽和電壓, Vce sat 最大:1.9V
電壓, Vceo:1V
工作??度范圍:-40°C to +175°C
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:80ns
最大連續(xù)電流, Ic:275A
電壓, Vces:600V
電壓, Vrrm:600V
電流, Icm 脈沖:400A
電流, Ifs 最大:1000A
集電極電流, Ic 平均值:275A
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上海 0 新加坡4 ???國 0 |
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SEMIKRON - SEMIX653GB176HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1700V |
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:619A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
電壓, Vceo:1.2V
工???溫度范圍:-55°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 3s
封裝類型:SEMiX 3s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:90ns
最大連續(xù)電流, Ic:650A
電壓, Vces:1700V
電壓, Vrrm:1700V
電流, Icm 脈沖:900A
電流, Ifs 最大:2900A
集電極電流, Ic 平均值:650A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX452GB176HDS - 晶體管 IGBT模塊 2X1700V |
模塊配置:1 Pair Series Connection
晶體管極性:N Channel
集電極直流電流:430A
飽和電壓, Vce sat 最大:2.45V
電壓, Vceo:1.2V
工作溫度范圍:-40°C to +150°C
封裝類型:SEMiX 2s
封裝類型:SEMiX 2s
晶體管類型:IGBT Module
表面安裝器件:螺絲安裝
上升時間:105ns
最大連續(xù)電流, Ic:430A
電壓, Vces:1700V
電壓, Vrrm:1700V
電流, Icm 脈沖:600A
電流, Ifs 最大:2000A
集電極電流, Ic 平均值:430A
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无库存 |
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