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最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低閾值電壓, Vgs th P溝道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高電壓, Vds P溝道

  • 60V
  • 30V

總功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

針腳配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

針腳數(shù)

  • 5
  • 6
  • 8

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

閾值電壓, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

閾值電壓, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封裝類型

  • A
  • B

外寬

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部長度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
圖片 型號 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價格
(不含稅)		 數(shù)量
SANYO - ECH8654-TL-H - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 5A ECH8 SANYO - ECH8654-TL-H - 場效應(yīng)管 雙MOSFET PP溝道 20V 5A ECH8
  • 晶體管極性:Dual P Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:5A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):38mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:Switching
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電壓, Vgs 最高:10V
  • 電流, Id 連續(xù):3A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國7    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - ECH8620-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NP溝道 100V ECH8 SANYO - ECH8620-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NP溝道 100V ECH8
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:2A
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):260mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:Switching
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國93    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - ECH8619-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NP溝道 60V ECH8 SANYO - ECH8619-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NP溝道 60V ECH8
  • 晶體管極性:NP
  • 漏極電流, Id 最大值:3A
  • 電壓, Vds 最大:60V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):93mohm
  • 電壓 @ Rds???量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:Switching
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):1.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國585    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - ECH8618-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NN溝道 100V 2A ECH8 SANYO - ECH8618-TL-E - 場效應(yīng)管 雙MOSFET NN溝道 100V 2A ECH8
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 漏極電流, Id 最大值:2A
  • 電壓, Vds 最大:100V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):260mohm
  • 電壓 @ Rds測量:10V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 針腳數(shù):8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:Switching
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:100V
  • 電壓, Vgs 最高:20V
  • 電流, Id 連續(xù):1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國90    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-363 DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-363
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.6V
  • 工作溫度范圍:-65°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):305mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國2910    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-363 DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 場效應(yīng)管 MOSFET 雙N溝道 SOT-363
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):2ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1V
  • 工作溫度范圍:-65°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:5V
  • 電壓, Vds 典型值:50V
  • 電流, Id 連續(xù):305mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國4168    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 SOT-363 DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET P溝道 SOT-363
  • 晶體管極性:Dual P Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):10ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:-1.6V
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:-5V
  • 電壓, Vds 典型值:-50V
  • 電流, Id 連續(xù):-130mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國1575    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET陣列 N/P SOT-363 DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET陣列 N/P SOT-363
  • 晶體管極性:N/P Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):13.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2.5V
  • 工作溫度???圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):115mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國5029    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - BSS138DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 SOT-363 DIODES INC. - BSS138DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 SOT-363
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):3.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.2V
  • 工作溫度范圍:-55??C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:50V
  • 電流, Id 連續(xù):200mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國6430    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 60V SOT-363 DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 60V SOT-363
  • 晶體管極性:Dual N Channel
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):13.5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:2V
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-363
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封裝類型:SOT-363
  • 晶體管類型:Enhancement
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:60V
  • 電流, Id 連續(xù):115mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國2409    		 1 5 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - EFC4606-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EFCP SANYO - EFC4606-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EFCP
  • 模塊配置:Dual Series N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:24V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):38mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封裝類型:EFCP
  • 封裝類型:EFCP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:24V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國90    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - EFC4602-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A EFCP SANYO - EFC4602-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A EFCP
  • 模塊配置:Dual Series N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):36.5mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封裝類型:EFCP
  • 封裝類型:EFCP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國100    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - EFC4601-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EFCP SANYO - EFC4601-TR - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EFCP
  • 模塊配置:Dual Series N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:24V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):44mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封裝類型:EFCP
  • 封裝類型:EFCP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:24V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國100    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - EMH2412-TL-H - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EMH8 SANYO - EMH2412-TL-H - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 6A EMH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:24V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):25mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封裝類型:EMH8
  • 封裝類型:EMH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:24V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國100    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    SANYO - EMH2407-TL-H - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A EMH8 SANYO - EMH2407-TL-H - 場效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A EMH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):25mohm
  • 電壓 @ Rds測量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封裝類型:EMH8
  • 封裝類型:EMH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國75    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
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