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最低閾值電壓, Vgs th N溝道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低閾值電壓, Vgs th P溝道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高電壓, Vds P溝道

  • 60V
  • 30V

總功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

針腳配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

針腳數(shù)

  • 5
  • 6
  • 8

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

閾值電壓, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

閾值電壓, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封裝類型

  • A
  • B

外寬

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部長(zhǎng)度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V N溝道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 10V P溝道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N溝道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通態(tài)電阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P溝道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫(kù)存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
SANYO - ECH8664R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 7A ECH8 SANYO - ECH8664R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 7A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:7A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):23.5mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):7A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)100    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8663R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 8A ECH8 SANYO - ECH8663R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 8A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):20.5mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)70    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - MCH6604-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 50V 0.25A MCPH6 SANYO - MCH6604-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 50V 0.25A MCPH6
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:250mA
  • 電壓, Vds 最大:50V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):7.8ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 封裝類型:MCPH
  • 封裝類型:MCPH6
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:50V
  • 電流, Id 連續(xù):0.25A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)75    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - MCH6602-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 0.35A MCPH6 SANYO - MCH6602-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 0.35A MCPH6
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:350mA
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):3.7ohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 封裝類型:MCPH
  • 封裝類型:MCPH6
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):0.35A
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FW232A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 8A SOT96 SANYO - FW232A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 8A SOT96
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):26mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:2.5W
  • 封裝類型:SOP
  • 封裝類型:SOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)400    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FW231A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 8A SOT96 SANYO - FW231A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 8A SOT96
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):23mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:2.3W
  • 封裝類型:SOP
  • 封裝類型:SOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)89    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FTD2019A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2019A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 6A TSSOP8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)??阻, Rds(on):26mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)65    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FTD2017M-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2017M-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A TSSOP8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極??:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):23mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.25W
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)55    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FTD2017A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A TSSOP8 SANYO - FTD2017A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A TSSOP8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極??:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):23mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.3W
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)20    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - FTD2011A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 4A TSSOP8 SANYO - FTD2011A-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 4A TSSOP8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:4A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)??阻, Rds(on):39mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.3W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TSSOP
  • 封裝類型:TSSOP
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):4A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)90    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8655R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 9A ECH8 SANYO - ECH8655R-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 24V 9A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:9A
  • 電壓, Vds 最大:24V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):17mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:24V
  • 電流, Id 連續(xù):9A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)75    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8649-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 7.5A ECH8 SANYO - ECH8649-TL-H - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 7.5A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:7.5A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):17mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):7.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)100    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8622R-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 7A ECH8 SANYO - ECH8622R-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 30V 7A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:7A
  • 電壓, Vds 最大:30V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):23mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:30V
  • 電流, Id 連續(xù):7A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)75    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8621R-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 8A ECH8 SANYO - ECH8621R-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 8A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:8A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):20mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4.5V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)100    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
    SANYO - ECH8604-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A ECH8 SANYO - ECH8604-TL-E - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N溝道 20V 6A ECH8
  • 模塊配置:Dual N Channel
  • 晶體管極性:N
  • 漏極電流, Id 最大值:6A
  • 電壓, Vds 最大:20V
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):30mohm
  • 電壓 @ Rds測(cè)量:4V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 封裝類型:ECH8
  • 封裝類型:ECH8
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:4V
  • 電壓, Vds 典型值:20V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)75    		 1 1 詢價(jià),無需注冊(cè) 訂購(gòu)
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