IXYS RF - IXZ2211N50 - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275X2
制造商：IXYS RF
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：IXZ2211N50
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
庫存編號(hào)：
制造商編號(hào)：IXZ2211N50
庫存狀態(tài)：无库存
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：
價(jià)格：
描述信息：
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓, Vds 最大:500V
- 電流, Id 連續(xù):11A
- 封裝類型:DE-275X2
- 晶體管極性:N Channel
- 上升時(shí)間:4ns
- 功率, Pd:1180W
- 封裝類型:DE-275X2
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.6ohm
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
- 電壓, Vds 典型值:500V
- 電容值, Ciss 典型值:790pF
- 電流, Idm 脈沖:60A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.004
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國家：
描述信息：
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓, Vds 最大:500V
- 電流, Id 連續(xù):11A
- 封裝類型:DE-275X2
- 晶體管極性:N Channel
- 上升時(shí)間:4ns
- 功率, Pd:1180W
- 封裝類型:DE-275X2
- 開態(tài)電阻, Rds(on):0.6ohm
- 電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
- 電壓, Vds 典型值:500V
- 電容值, Ciss 典型值:790pF
- 電流, Idm 脈沖:60A
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
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