| 圖片 |
型號 |
產(chǎn)品描述 |
庫存狀況 |
包裝規(guī)格 |
單位價格
(不含稅) |
數(shù)量 |
 |
NXP - BLF278 - 功率MOSFET N溝道 500W VHF 雙管推挽式 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:125V
電流, Id 連續(xù):18A
功耗:500W
封裝類型:SOT-262A1
晶體管??性:N
電壓, Vds:125V
結(jié)溫, Tj 最高:200°C
功率, Pd:500W
存儲溫度, 最低:-65°C
存儲溫度, 最高:150°C
封裝類型:SOT-262A1
開態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
漏極電流, Id 最大值:18A
電壓 @ Rds測量:10V
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vgs 最高:20V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
|
上海 0
新加坡 0
英國95 |
1 |
1 |
  |
 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRFG35002N6AT1 - 射頻MOSFET PHEMT PLD-1.5 |
晶體管類型:RF FET
電壓, Vds 最大:8V
電流, Id 連續(xù):1.7A
最大功耗:1.5W
封裝類型:PLD-1.5
針腳數(shù):3
功耗:1.5W
增益:10dB
封裝類型:PLD-1.5
射頻輸入功率:22dBm
最高工作頻率:5000MHz
柵極-源極電壓, Vgs:-5V
電壓, Vds:8V
表面安裝器件:表面安裝
輸出功率:1.5W
封裝類型:PLD-1.5
|
上海 0
新加坡 0
英國2 |
1 |
1 |
|
 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1517NT1 - 射頻MOSFET N PLD-1.5 |
晶體管類型:RF FET
電壓, Vds 最大:25V
電流, Id 連續(xù):4A
最大功耗:62.5W
封裝類型:466
針腳數(shù):3
功耗:62.5mW
增益:14dB
封裝類型:PLD-1.5
晶體管極性:N
電壓, Vds:0.5V
表面安裝器件:表面安裝
輸出功率:8W
封裝類型:PLD-1.5
|
上海 0
新加坡5
英國75 |
1 |
1 |
|
 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1513NT1 - 射頻MOSFET N PLD-1.5 |
晶體管類型:RF FET
電壓, Vds 最大:40V
電流, Id 連續(xù):2A
最大功耗:31.25W
封裝類型:466
針腳數(shù):3
功耗:31.25W
增益:15dB
封裝類型:PLD-1.5
晶體管極性:N
電壓, Vds:0.65V
表面安裝器件:表面安裝
輸出功率:3W
封裝類型:PLD-1.5
|
上海9
新加坡 0
英國36 |
1 |
1 |
|
 |
FREESCALE SEMICONDUCTOR - MRF1511NT1 - 射頻MOSFET N PLD-1.5 |
晶體管類型:RF FET
電壓, Vds 最大:40V
電流, Id 連續(xù):4A
最大功耗:62.5W
封裝類型:466
針腳數(shù):3
功耗:62.5W
增益:13dB
封裝類型:PLD-1.5
晶體管極性:N
電壓, Vds:0.4V
表面安裝器件:表面安裝
輸出功率:8W
封裝類型:PLD-1.5
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
NXP - BLF245 - 場效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT123 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:65V
電流, Id 連續(xù):6A
功耗:68W
封裝類型:SOT-123
截止頻率 ft, 典型值:175MHz
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件標號:1
封裝類型:SOT-123
應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
最小功率增益 Gp:33dB
漏極電流, Id 最大值:6A
電壓 @ Rds測量:10V
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:65V
電壓, Vgs 最高:20V
電流, Idss 最大:2mA
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.75ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
NXP - BLF177 - 場效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT121 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:125V
電流, Id 連續(xù):16A
最大功耗:220W
封裝類型:SOT-121
截止頻率 ft, 典型值:28MHz
???體管數(shù):1
晶體管極性:N
針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:220W
器件標號:1
封裝類型:SOT-121
應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
開態(tài)電阻, Rds(on):0.2ohm
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:125V
電流, Idss 最大:2.5mA
通態(tài)電阻, Rds on 最大:0.3ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
|
上海 0
新加坡25
英國306 |
1 |
1 |
|
 |
NXP - BLF175 - 場效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT123 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:125V
電流, Id 連續(xù):4A
最大功耗:68W
封裝類型:SOT-123
截止頻率 ft, 典型值:32MHz
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.6°C/W
針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件標號:1
封裝類型:SOT-123
應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
開態(tài)電阻, Rds(on):0.75ohm
電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
電壓, Vds 典型值:125V
電流, Idss 最大:0.1mA
通態(tài)電阻, Rds on 最大:1.5ohm
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
閾值電壓, Vgs th 最低:2V
閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
|
上海 0
新加坡 0
英國30 |
1 |
1 |
|
 |
NXP - BF991 - 雙MOSFET N RF SOT143 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:20V
電流, Id 連續(xù):0.02A
最大功耗:200mW
噪聲:1dB
工作溫度范圍:-65°C to +150°C
封裝類型:SOT-143
???體管數(shù):2
晶體管極性:雙 N
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
針腳配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
SMD標號:M91
功率, Pd:0.2W
封裝類型:SOT-143
電壓, Vds 典型值:20V
|
上海 0
新加坡26
英國3119 |
1 |
10 |
|
 |
NXP - BF904 - 雙MOSFET N RF SOT143 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:7V
電流, Id 連續(xù):0.03A
最大功耗:200mW
噪聲:2dB
封裝類型:SOT-143B
晶體管數(shù):2
晶體管極性:雙 N
結(jié)溫, Tj 最高:150°C
表面安裝器件:表面安裝
針腳配置:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1)
SMD標號:MO4
功率, Pd:0.2W
封裝類型:SOT-143B
電壓, Vds 典型值:7V
閾值電壓, Vgs th 典型值:1.2V
|
上海 0
新加坡170
英國634 |
1 |
5 |
|
 |
IXYS RF - IXZR16N60A - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247 |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:600V
電流, Id 連續(xù):18A
封裝類型:ISOPLUS-247
晶體管極性:N Channel
表面安裝器件:通孔安裝
上升時間:4ns
封裝類型:ISOPLUS-247
開態(tài)電阻, Rds(on):0.44ohm
電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
電壓, Vds 典型值:600V
電容值, Ciss 典型值:1930pF
閾值電壓, Vgs th 典型值:4.25V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - PD55008L-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 8W 500MHZ |
晶體管類型:RF MOS
電壓, Vds 最大:40V
電流, Id 連續(xù):5A
針腳數(shù):8
外寬:5mm
外部深度:1mm
外部長度/高度:5mm
封裝類型:PowerFLAT 5 x 5
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最小增益帶寬 ft:500MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:55008
功率, Pd:19.5W
封裝類型:PowerFLAT
滿功率溫度:70°C
電壓, Vds 典型值:40V
閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - PD55003L-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 12W 500MHZ |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:40V
電流, Id 連續(xù):2.5A
最大功耗:14W
針腳數(shù):8
外寬:5mm
外部深度:1mm
外部長度/高度:5mm
封裝類型:PowerFLAT 5 x 5
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最小增益帶寬 ft:500MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:55003
功率, Pd:14W
封裝類型:PowerFLAT
滿功率溫度:70°C
電壓, Vds 典型值:40V
閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
|
上海5
新加坡 0
英國3099 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - PD54008L-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 8W 500MHZ |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:25V
電流, Id 連續(xù):5A
針腳數(shù):8
外寬:5mm
外部深度:1mm
外部長度/高度:5mm
封裝類型:PowerFLAT 5 x 5
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最小增益帶寬 ft:500MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:54008
功率, Pd:26.7W
封裝類型:PowerFLAT
滿功率溫度:70°C
電壓, Vds 典型值:25V
閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - PD54003L-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 3W 500MHZ |
晶體管類型:MOSFET
電壓, Vds 最大:25V
電流, Id 連續(xù):4A
針腳數(shù):8
外寬:5mm
外部深度:1mm
外部長度/高度:5mm
封裝類型:PowerFLAT 5 x 5
晶體管數(shù):1
晶體管極性:N
最小增益帶寬 ft:500MHz
表面安裝器件:表面安裝
SMD標號:54003
功率, Pd:19.5W
封裝類型:PowerFLAT
滿功率溫度:70°C
電壓, Vds 典型值:25V
閾值電壓, Vgs th 典型值:3.3V
|
无库存 |
1 |
1 |
|
| 共 3 頁 | 第 1 頁 | 首頁 上一頁 下一頁 尾頁 |
