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最小功率增益 Gp

  • 13dB
  • 33dB

最小增益帶寬 ft

  • 175MHz
  • 500MHz

最大功耗

  • 62.5W
  • 68W
  • 3W
  • 31.25W
  • 880W
  • 1.18kW
  • 73W
  • 590W
  • 220W
  • 1.5W
  • 560W
  • 6W
  • 600W
  • 200mW
  • 200W
  • 180W
  • 315W
  • 470W
  • 500W
  • 300W
  • 14W
  • 16W
  • 52.8W

針腳數(shù)

  • 3
  • 8

噪聲

  • 5.5dB
  • 1dB
  • 2dB

增益

  • 13dB
  • 10dB
  • 15dB
  • 14dB

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • 5V
  • 4.5V
  • 3V
  • 1.2V
  • 4.25V
  • 4V
  • 5.5V
  • 6.5V
  • 4.95V

應(yīng)用代碼

  • RFPOWMOS
  • 雙門HFMOSFET

通態(tài)電阻, Rds on 最大

  • 0.3ohm
  • 0.75ohm
  • 5ohm
  • 1.5ohm

輸出功率

  • 1.5W
  • 3W
  • 8W

上升時間

  • 18ns
  • 12ns
  • 4ns
  • 2ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 20ns
  • 5ns
  • 16ns

滿功率溫度

  • 70°C
  • 25°C
  • 70°C

漏極電流, Id 最大值

  • 18A
  • 6A
  • 1A

開態(tài)電阻, Rds(on)

  • 1.5ohm
  • 0.4ohm
  • 0.6ohm
  • 1ohm
  • 0.75ohm
  • 0.2ohm
  • 0.8ohm
  • 1.05ohm
  • 0.44ohm
  • 0.085ohm
  • 0.19ohm
  • 1.9ohm
  • 0.08ohm
  • 0.25ohm
  • 0.12ohm
  • 2.1ohm
  • 0.5ohm
  • 3.3ohm
  • 0.3ohm
  • 0.39ohm

結(jié)溫, Tj 最高

  • 200°C
  • 150°C

截止頻率 ft, 典型值

  • 32MHz
  • 175MHz
  • 28MHz

晶體管極性

  • N Channel
  • N
  • 雙 N
  • N溝道

晶體管類型

  • RF FET
  • MOSFET
  • RF MOS
  • HF-VHF功率 MOS

晶體管數(shù)

  • 1
  • 2

功耗

  • 500W
  • 68W
  • 62.5W
  • 62.5mW
  • 31.25W
圖片 型號 產(chǎn)品描述 庫存狀況 包裝規(guī)格 單位價格
(不含稅)		 數(shù)量
STMICROELECTRONICS - PD55015-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 15W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD55015-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 15W 500MHZ
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:40V
  • 電流, Id 連續(xù):5A
  • 最大功耗:73W
  • 封裝類型:PowerSO-10RF
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功率, Pd:73W
  • 封裝類型:PowerSO-10RF
  • 滿功率溫度:70°C
  • 電壓, Vds 典型值:12.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 上海 0
    新加坡3
    英國126    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    STMICROELECTRONICS - PD54008-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 8W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54008-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 8W 500MHZ
  • ???體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:25V
  • 電流, Id 連續(xù):5A
  • 封裝類型:PowerSO-10RF (Formed Lead)
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功率, Pd:73W
  • 封裝類型:PowerSO-10RF
  • 滿功率溫度:70°C
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    STMICROELECTRONICS - PD54003-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 3W 500MHZ STMICROELECTRONICS - PD54003-E - 場效應(yīng)管 MOSFET RF 3W 500MHZ
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:25V
  • 電流, Id 連續(xù):4A
  • 最大功耗:52.8W
  • 工作溫度范圍:-65°C to +150°C
  • 封裝類型:PowerSO-10RF
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功率, Pd:52.8W
  • 封裝類型:PowerSO-10RF
  • 滿功率溫度:70°C
  • 電壓, Vds 典型值:7.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - BLF242 - 場效應(yīng)管 MOSFET RF SOT-123 NXP - BLF242 - 場效應(yīng)管 MOSFET RF SOT-123
  • 晶體管類型: HF-VHF功率 MOS
  • 電壓, Vds 最大:65V
  • 電流, Id 連續(xù):1A
  • 最大功耗:16W
  • 噪聲:5.5dB
  • 工作溫度范圍:-65°C to +150°C
  • 封裝類型:SOT-123
  • 截止頻率 ft, 典型值:175MHz
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管極性:N溝道
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 功率, Pd:5W
  • 器件標(biāo)號:1
  • 封裝類型:SOT-123
  • 應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):3.3ohm
  • 效率:50%
  • 最小功率增益 Gp:13dB
  • 漏極電流, Id 最大值:1A
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:1V
  • 電壓, Vds 典型值:28V
  • 電容值, Ciss 典型值:13pF
  • 電流, Idm 脈沖:1A
  • 電流, Idss 最大:0.01mA
  • 負(fù)載功率:16W
  • 通態(tài)電阻, Rds on 最大:5ohm
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
    		• 上海 0
    新加坡2
    英國74    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    NXP - BF998 - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF 雙柵極 SOT-143 NXP - BF998 - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF 雙柵極 SOT-143
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:12V
  • 電流, Id 連續(xù):30mA
  • 最大功耗:200mW
  • 噪聲:1dB
  • 封裝類型:SOT-143
  • 晶體管數(shù):1
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 功率, Pd:200mW
  • 封裝類型:SOT-143
  • 應(yīng)用代碼:雙門HFMOSFET
  • 總功率, Ptot:200mW
  • 最小正向跨導(dǎo) Gfs:21mA/V
  • 滿功率溫度:25°C
  • 電壓, Vds 典型值:12V
  • 電流, Idss 最大:18mA
  • 電流, Idss 最小:2mA
    		• 上海 0
    新加坡120
    英國12195    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFT12N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT12N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):12A
  • 最大功耗:300W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-268
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 上升時間:12ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-268
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.05ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:2700pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFT28N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-268AA IXYS RF - IXFT28N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-268AA
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):28A
  • 最大功耗:315W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-268
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:表面安裝
  • 上升時間:13ns
  • 功率, Pd:315W
  • 封裝類型:TO-268
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.19ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:3000pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國24    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFK24N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK24N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):24A
  • 最大功耗:560W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-264
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:18ns
  • 功率, Pd:560W
  • 封裝類型:TO-264
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.39ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:6600pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國34    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFK21N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK21N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):21A
  • 最大功耗:500W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-264
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:16ns
  • 功率, Pd:500W
  • 封裝類型:TO-264
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.5ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國5    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFK55N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK55N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):55A
  • 封裝類型:TO-264
  • 晶體管極性:N Channel
  • 上升時間:20ns
  • 功率, Pd:560W
  • 封裝類型:TO-264
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.085ohm
  • 電容值, Ciss 典型值:6700pF
    		• 停产 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFK44N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264 IXYS RF - IXFK44N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-264
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):44A
  • 最大功耗:500W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-264
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:18ns
  • 功率, Pd:500W
  • 封裝類型:TO-264
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.12ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:5500pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國39    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFH6N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH6N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.9ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFH21N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH21N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):21A
  • 最大功耗:300W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:12ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.25ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:2600pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國144    		 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXFH12N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXFH12N50F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):12A
  • 最大功耗:180W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):0.4ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
    IXYS RF - IXZH08N120 - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXZH08N120 - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 最大功耗:300W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 封裝類型, 替代:SOT-249
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:4ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 電流, Idm 脈沖:40A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價,無需注冊 訂購
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