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IXYS RF - IXFH6N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD

IXYS RF - IXFH6N100F - 場效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
制造商:IXYS RF
庫存編號:
制造商編號:IXFH6N100F
庫存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 57.80
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 57.80
10+  CNY 56.70

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描述信息:
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.9ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.006
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時間:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):1.9ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5V