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最小功率增益 Gp

  • 13dB
  • 33dB

最小增益帶寬 ft

  • 175MHz
  • 500MHz

最大功耗

  • 62.5W
  • 68W
  • 3W
  • 31.25W
  • 880W
  • 1.18kW
  • 73W
  • 590W
  • 220W
  • 1.5W
  • 560W
  • 6W
  • 600W
  • 200mW
  • 200W
  • 180W
  • 315W
  • 470W
  • 500W
  • 300W
  • 14W
  • 16W
  • 52.8W

針腳數(shù)

  • 3
  • 8

噪聲

  • 5.5dB
  • 1dB
  • 2dB

增益

  • 13dB
  • 10dB
  • 15dB
  • 14dB

閾值電壓, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • 5V
  • 4.5V
  • 3V
  • 1.2V
  • 4.25V
  • 4V
  • 5.5V
  • 6.5V
  • 4.95V

應(yīng)用代碼

  • RFPOWMOS
  • 雙門HFMOSFET

通態(tài)電阻, Rds on 最大

  • 0.3ohm
  • 0.75ohm
  • 5ohm
  • 1.5ohm

輸出功率

  • 1.5W
  • 3W
  • 8W

上升時(shí)間

  • 18ns
  • 12ns
  • 4ns
  • 2ns
  • 13ns
  • 14ns
  • 20ns
  • 5ns
  • 16ns

滿功率溫度

  • 70°C
  • 25°C
  • 70°C

漏極電流, Id 最大值

  • 18A
  • 6A
  • 1A

開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on)

  • 1.5ohm
  • 0.4ohm
  • 0.6ohm
  • 1ohm
  • 0.75ohm
  • 0.2ohm
  • 0.8ohm
  • 1.05ohm
  • 0.44ohm
  • 0.085ohm
  • 0.19ohm
  • 1.9ohm
  • 0.08ohm
  • 0.25ohm
  • 0.12ohm
  • 2.1ohm
  • 0.5ohm
  • 3.3ohm
  • 0.3ohm
  • 0.39ohm

結(jié)溫, Tj 最高

  • 200°C
  • 150°C

截止頻率 ft, 典型值

  • 32MHz
  • 175MHz
  • 28MHz

晶體管極性

  • N Channel
  • N
  • 雙 N
  • N溝道

晶體管類型

  • RF FET
  • MOSFET
  • RF MOS
  • HF-VHF功率 MOS

晶體管數(shù)

  • 1
  • 2

功耗

  • 500W
  • 68W
  • 62.5W
  • 62.5mW
  • 31.25W
圖片 型號(hào) 產(chǎn)品描述 庫(kù)存狀況 包裝規(guī)格 單位價(jià)格
(不含稅)		 數(shù)量
IXYS RF - IXZH16N60 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD IXYS RF - IXZH16N60 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF TO-247AD
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 電流, Id 連續(xù):18A
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 封裝類型, 替代:SOT-249
  • 晶體管極性:N Channel
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 功率, Pd:300W
  • 封裝類型:TO-247AD
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.44ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電容值, Ciss 典型值:1930pF
  • 電流, Idm 脈沖:90A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.25V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)10    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXFN24N100F - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF SOT-227B IXYS RF - IXFN24N100F - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF SOT-227B
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):24A
  • 最大功耗:600W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 上升時(shí)間:18ns
  • 功率, Pd:600W
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.39ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:6600pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 上海 0
    新加坡1
    英國(guó)19    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXFN55N50F - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF SOT-227B IXYS RF - IXFN55N50F - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF SOT-227B
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):55A
  • 最大功耗:600W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +150°C
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:螺絲安裝
  • 上升時(shí)間:20ns
  • 功率, Pd:600W
  • 封裝類型:ISOTOP
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.085ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:6700pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZR08N120B - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR08N120B - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 晶體管極性:N Channel
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:5ns
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZR08N120A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR08N120A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 最大功耗:3W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:5ns
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZR16N60B - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247 IXYS RF - IXZR16N60B - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF ISOPLUS247
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:600V
  • 電流, Id 連續(xù):18A
  • 最大功耗:3W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 晶體管極性:N
  • 表面安裝器件:通孔安裝
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 封裝類型:ISOPLUS-247
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.44ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:600V
  • 電容值, Ciss 典型值:1930pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.25V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ308N120 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE375 IXYS RF - IXZ308N120 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE375
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-375
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封裝類型:DE-375
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - DE275X2-102N06A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275X2 IXYS RF - DE275X2-102N06A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275X2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1000V
  • 電流, Id 連續(xù):16A
  • 最大功耗:1.18kW
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-275X2
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:2ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封裝類型:DE-275X2
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.8ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:15V
  • 電壓, Vds 典型值:1000V
  • 電容值, Ciss 典型值:1800pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 上海 0
    新加坡3
    英國(guó)13    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ2211N50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275X2 IXYS RF - IXZ2211N50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275X2
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):11A
  • 封裝類型:DE-275X2
  • 晶體管極性:N Channel
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封裝類型:DE-275X2
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.6ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:790pF
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - DE275-201N25A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - DE275-201N25A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:200V
  • 電流, Id 連續(xù):25A
  • 最大功耗:590W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-275
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:5ns
  • 功率, Pd:590W
  • 封裝類型:DE-275
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.08ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:15V
  • 電壓, Vds 典型值:200V
  • 電容值, Ciss 典型值:2500pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:5.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ211N50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ211N50 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):11A
  • 最大功耗:590W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-275
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 功率, Pd:540W
  • 封裝類型:DE-275
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.6ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:15V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:790pF
  • 電流, Idm 脈沖:60A
    		• 停产 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ215N12L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ215N12L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:125V
  • 電流, Id 連續(xù):15A
  • 最大功耗:6W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-275
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 封裝類型:DE-275
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.3ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:15V
  • 電壓, Vds 典型值:125V
  • 電容值, Ciss 典型值:425pF
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ210N50L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275 IXYS RF - IXZ210N50L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE275
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):10A
  • 最大功耗:470W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-275
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 功率, Pd:470W
  • 封裝類型:DE-275
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:622pF
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.95V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英國(guó)32    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - DE150-501N04A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE150 IXYS RF - DE150-501N04A - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF DE150
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):4.5A
  • 最大功耗:200W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:150
  • 晶體管極性:N
  • 上升時(shí)間:4ns
  • 功率, Pd:200W
  • 封裝類型:150
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1.5ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:15V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:700pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:3V
    		• 上海2
    新加坡 0
    英國(guó)29    		 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
    IXYS RF - IXZ2210N50L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF 754 IXYS RF - IXZ2210N50L - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET N RF 754
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:500V
  • 電流, Id 連續(xù):10A
  • 最大功耗:470W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE275X2
  • 晶體管極性:N
  • 最小增益帶寬 ft:175MHz
  • 上升時(shí)間:16ns
  • 功率, Pd:360W
  • 封裝類型:DE-275X2
  • 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:500V
  • 電容值, Ciss 典型值:383pF
  • 電流, Idm 脈沖:60A
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.95V
    		• 无库存 1 1 詢價(jià),無(wú)需注冊(cè) 訂購(gòu)
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