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IXYS RF - IXZ308N120 - 場效應管 MOSFET N RF DE375

IXYS RF - IXZ308N120 - 場效應管 MOSFET N RF DE375
制造商:IXYS RF
庫存編號:
制造商編號:IXZ308N120
庫存狀態(tài):无库存
包裝規(guī)格:1
最小訂單量:1
多重訂單量:1
單位價格(不含稅):CNY 325.00
價格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 325.00
10+  CNY 318.60

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描述信息:
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-375
  • 晶體管極性:N
  • 上升時間:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封裝類型:DE-375
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V
產(chǎn)品屬性:

重量(公斤):0.003
原產(chǎn)地:
最近制造加工所發(fā)生的國家:

描述信息:
  • 晶體管類型:MOSFET
  • 電壓, Vds 最大:1200V
  • 電流, Id 連續(xù):8A
  • 最大功耗:880W
  • 工作溫度范圍:-55°C to +175°C
  • 封裝類型:DE-375
  • 晶體管極性:N
  • 上升時間:5ns
  • 功率, Pd:880W
  • 封裝類型:DE-375
  • 開態(tài)電阻, Rds(on):2.1ohm
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測量:20V
  • 電壓, Vds 典型值:1200V
  • 電容值, Ciss 典型值:1960pF
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值:6.5V