NXP - BLF175 - 場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT123
制造商：NXP
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：BLF175
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)30
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 340.12
價(jià)格：
庫(kù)存編號(hào)：
制造商編號(hào)：BLF175
庫(kù)存狀態(tài)：上海 0 , 新加坡 0 , 英國(guó)30
包裝規(guī)格：1
最小訂單量：1
多重訂單量：1
單位價(jià)格(不含稅)：CNY 340.12
價(jià)格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 340.12 |
| 25 - 99 | CNY 305.86 |
| 100 - 249 | CNY 273.30 |
| 250+ | CNY 262.79 |
描述信息：
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓, Vds 最大:125V
- 電流, Id 連續(xù):4A
- 最大功耗:68W
- 封裝類型:SOT-123
- 截止頻率 ft, 典型值:32MHz
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管極性:N
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.6°C/W
- 針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
- 功率, Pd:68W
- 器件標(biāo)號(hào):1
- 封裝類型:SOT-123
- 應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.75ohm
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:125V
- 電流, Idss 最大:0.1mA
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:1.5ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
產(chǎn)品屬性：
重量（公斤）：0.01
原產(chǎn)地：
最近制造加工所發(fā)生的國(guó)家：
描述信息：
- 晶體管類型:MOSFET
- 電壓, Vds 最大:125V
- 電流, Id 連續(xù):4A
- 最大功耗:68W
- 封裝類型:SOT-123
- 截止頻率 ft, 典型值:32MHz
- 晶體管數(shù):1
- 晶體管極性:N
- 熱阻, 結(jié)至外殼 A:2.6°C/W
- 針腳格式:D(1), S(2&4), G(3)
- 功率, Pd:68W
- 器件標(biāo)號(hào):1
- 封裝類型:SOT-123
- 應(yīng)用代碼:RFPOWMOS
- 開(kāi)態(tài)電阻, Rds(on):0.75ohm
- 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:10V
- 電壓, Vds 典型值:125V
- 電流, Idss 最大:0.1mA
- 通態(tài)電阻, Rds on 最大:1.5ohm
- 閾值電壓, Vgs th 典型值:4.5V
- 閾值電壓, Vgs th 最低:2V
- 閾值電壓, Vgs th 最高:4.5V
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